首页 > 商品目录 > > > > AON6576代替型号比较

AON6576  与  BSC042N03LS G  区别

型号 AON6576 BSC042N03LS G
唯样编号 A36-AON6576 A-BSC042N03LS G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V 4.2mΩ
上升时间 - 4.4ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 26W 2.5W
栅极电压Vgs ±20V 20V
典型关闭延迟时间 - 24ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 -
连续漏极电流Id 32A 93A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3
长度 - 5.9mm
下降时间 - 4ns
典型接通延迟时间 - 6ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 1,670 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.8899
200+ :  ¥0.6138
1,500+ :  ¥0.5577
暂无价格
购买数量 点击询价

推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.8899 

阶梯数 价格
60: ¥0.8899
200: ¥0.6138
1,500: ¥0.5577
1,670 当前型号
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.375 

阶梯数 价格
40: ¥1.375
50: ¥1.0626
1,940 对比
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55℃~150℃ 8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
IRFH5304TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

±20V -55°C~150°C(TJ) 3.6W(Ta),46W(Tc) 4.5mΩ@47A,10V N-Channel 30V 22A 8-PQFN(5x6)

暂无价格 0 对比
IRFH8324TRPBF Infineon  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 23A(Ta),90A(Tc) ±20V 3.6W(Ta),54W(Tc) 4.1mΩ@20A,10V -55°C~150°C(TJ) PG-TDSON-8

暂无价格 0 对比
BSC042N03LS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC042N03LSGATMA1_30V 93A 4.2mΩ 20V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

我的足迹

清空浏览历史

我的收藏 默认收藏夹

进入我的收藏>>

线

在线销售